Примесный фототок в условиях термической перезарядки глубокого центра

Рассмотрено поведение примесного фототока в экспериментальных условиях фототоковой релаксационной спектроскопии глубоких уровней в высокоомных полупроводника Предлагается способ определения концентрации глубоких центров по величине стационарного фототока и амплитуде разностного тока термической эмиссии носителей заряда с центров. Эксперимент выполнен на объемных кристаллах высокоомного арсенида галлия с дырочной ловушкой с энергией залегания ${E_{vt}=0.41}$ эВ.