Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 6, страницы 1120–1122 (Mi phts262)  
Краткие сообщения

Особенности монополярной инжекции при наличии глубоких центров с отрицательной хаббардовской энергией

Л. Е. Стыс

Одесский государственный университет им. И. И. Мечникова
PDF полного текста (452 kB)
Поступила в редакцию: 24.06.1985
Принята в печать: 20.12.1985
Тип публикации: Статья
УДК: 621.315.592
Образец цитирования: Л. Е. Стыс, “Особенности монополярной инжекции при наличии глубоких центров с отрицательной хаббардовской энергией”, Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986), 1120–1122
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Sty86}
\by Л.~Е.~Стыс
\paper Особенности монополярной инжекции при наличии глубоких центров
с~отрицательной хаббардовской энергией
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1986
\vol 20
\issue 6
\pages 1120--1122
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts262}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts262
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v20/i6/p1120
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025