Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 6, страницы 1127–1129 (Mi phts265)  
Краткие сообщения

Релаксация темнового и фототока в интеркалированных литием монокристаллах TlGaSe$_{2}$

Г. Д. Гусейнов, Э. Ф. Багирзаде, Н. З. Гасанов, С. Н. Мустафаева

Институт физики НАН Азербайджана
PDF полного текста (398 kB)
Поступила в редакцию: 12.06.1985
Принята в печать: 02.01.1986
Тип публикации: Статья
УДК: 621.315.592
Образец цитирования: Г. Д. Гусейнов, Э. Ф. Багирзаде, Н. З. Гасанов, С. Н. Мустафаева, “Релаксация темнового и фототока в интеркалированных литием монокристаллах TlGaSe$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986), 1127–1129
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GusBagGas86}
\by Г.~Д.~Гусейнов, Э.~Ф.~Багирзаде, Н.~З.~Гасанов, С.~Н.~Мустафаева
\paper Релаксация темнового и~фототока в~интеркалированных литием
монокристаллах TlGaSe$_{2}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1986
\vol 20
\issue 6
\pages 1127--1129
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts265}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts265
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v20/i6/p1127
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025