Переход металл–диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем

Исследованы проводимость и магнитосопротивление в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем, при концентрациях акцепторов, близких к критической концентрации перехода металл–диэлектрик ${4.5\cdot10^{16}<N_{a}}$, см${{}^{-3}<2\cdot 10^{17}}$, в интервале температур ${T=4.2\div0.5}$ K и напряженности магнитного поля ${H=0\div5.5}$ Т.
Обнаружено, что обменное взаимодействие между дырками примесной зоны и электронами $d$-оболочки иона марганца оказывает существенное влияние на явления переноса вблизи $N_{\text{кр}}$ на диэлектрической стороне перехода металл–диэлектрик.
Наблюдаются более резкий переход металл-диэлектрик по сравнению с кристаллами $p$-InSb, легированными немагнитной примесью — германием, возникновение гигантского отрицательного магнитосопротивления, наличие максимума в зависимости удельного сопротивления от концентрации марганца при ${T<1}$ K.
Предполагается, что проявление сильного влияния магнитных свойств марганца связано с упорядочением спинов марганца путем косвенного обмена через дырки в примесной зоне.
Отмечается, что подобные эффекты наблюдались ранее лишь в магнитных и полумагнитных полупроводниках.