Эффекты электрон-фононного взаимодействия в примесной фотопроводимости $n\text{-GaP}\langle\text{Ni}\rangle$

Исследована примесная фотопроводимость (ФП) образцов фосфида галлия, диффузионно легированных никелем. В спектрах ФП присутствует резонансная полоса, имеющая гауссову форму, с максимумом вблизи 0.74 эВ при 300 K. Ее положение, интенсивность и полуширина зависят от температуры. Установлена связь этой полосы в спектрах ФП с бесфононной линией ${\hbar\omega_{\text{БФЛ}}=0.664}$ эВ в оптическом поглощении, обусловленной переходами ${{}^{2}T_{2}\to{}^{2}E}$ внутри центра Ni$^{2-}(3d^{9})$, и показано, что резонансная полоса ФП в $n\text{-GaP}\langle\text{Ni}\rangle$ связана с фототермическим процессом: оптический переход ${{}^{2}T_{2}\to{}^{2}E}$ внутри центра Ni$^{2-}(3d^{9})$ сопровождается последующим термическим выбросом электрона с центра, находящегося в возбужденном состоянии ${}^{2}E$, в зону проводимости. Определены положения примесного уровня центра Ni$^{2-}(3d^{9})$ в запрещенной зоне GaP, а также его возбужденного состояния ${}^{2}E$.