Исследование процессов дефектообразования в имплантированных структурах при эпитаксиальном росте пленок

Приведены результаты исследования дозовой зависимости на процессы дефектообразования в имплантированных аргоном структурах Si при эпитаксиальном росте пленок. Показано существование трех характерных областей доз имплантации, которым соответствуют различные типы дефектов эпитаксиальной пленки. На основе расчетов и экспериментальных данных показано, что увеличение длины планарного геттерирования при дозах ${\gtrsim5\cdot10^{15}\,\text{см}^{-2}}$ обусловлено появлением межзеренных границ и определяется упругими взаимодействиями, между ТД, дислокационными петлями и межзеренными границами.