|
|
Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 7, страницы 1180–1183
(Mi phts279)
|
|
|
|
Нелинейное поглощение света в $p$-Ge в ИК области спектра
Е. В. Берегулин, С. Д. Ганичев, И. Д. Ярошецкий Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград
Аннотация:
Работа посвящена изучению поведения
коэффициента поглощения в $p$-Ge в зависимости
от интенсивности света.
Показано, что при больших интенсивностях света, кроме ранее
рассмотренного явления просветления, существенное
влияние на коэффициент поглощения оказывает двухфотонное
внутризонное поглощение.
Поступила в редакцию: 25.06.1985 Принята в печать: 29.11.1985
Образец цитирования:
Е. В. Берегулин, С. Д. Ганичев, И. Д. Ярошецкий, “Нелинейное поглощение света в $p$-Ge в ИК области спектра”, Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986), 1180–1183
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts279 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v20/i7/p1180
|
|