Внутрибарьерное рекомбинационное излучение многослойных структур GaAs$-$Al$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As с квантовыми ямами

В спектрах излучения многослойной структуры GaAs$-$Al$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As в области энергии, бо́льших ширины запрещенной зоны GaAs в квантовых ямах, наряду с рекомбинационным излучением горячих носителей из квантовых ям обнаружено излучение, обусловленное рекомбинацией донорно-акцепторных пар из области тонких (${\sim120}$ Å) барьеров Al$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As. Измерено время затухания этого излучения ${\tau\approx0.2\div0.3}$ мкс.