Спонтанное образование локальных областей ударной ионизации в однородных полупроводниках в слабых электрических полях

Показано, что в собственных полупроводниках или в полупроводниках с неравновесной электронно-дырочной плазмой при температуре решетки порядка или выше комнатной разогрев носителей в постоянном или высокочастотном поле, много меньшем поля лавинного пробоя, приводит к скачкообразному спонтанному образованию областей с высокой скоростью ударной ионизации, размером в несколько длин релаксации энергии носителей.