Захват горячих электронов примесными центрами в полуизолирующем $n$-GaAs

Приведены результаты исследования полевой зависимости сечения захвата электронов глубокими примесными центрами в $p{-}i{-}n$-структурах с длинной базой на основе высокоомного $n$-GaAs.