Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 6, страницы 1110–1112 (Mi phts2914)  

Краткие сообщения

Слои $p$-типа на кристаллах $i$-GaAs, отожженных в водороде

А. Н. Георгобиани, З. П. Илюхина, Н. Б. Пышная, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Н. Георгобиани, З. П. Илюхина, Н. Б. Пышная, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки, “Слои $p$-типа на кристаллах $i$-GaAs, отожженных в водороде”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988), 1110–1112
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GeoTigUrs88}
\by А.~Н.~Георгобиани, З.~П.~Илюхина, Н.~Б.~Пышная, И.~М.~Тигиняну, В.~В.~Урсаки
\paper Слои $p$-типа на кристаллах $i$-GaAs, отожженных в~водороде
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1988
\vol 22
\issue 6
\pages 1110--1112
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts2914}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts2914
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v22/i6/p1110
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:84
    PDF полного текста:36
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026