Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 7, страницы 1153–1157 (Mi phts2931)  

Локализованные состояния водорода в аморфном кремнии

Г. Л. Гуцев, Г. С. Мякенькая
Аннотация: Самосогласованным дискретно-вариационным $X_{\alpha}$-методом рассчитана электронная структура кластеров, моделирующих дефекты в кремнии — изолированную и гидрогенизированную вакансии. Показано, что пассивация оборванных связей вакансии атомами водорода приводит к последовательному уменьшению плотности состояний в запрещенной зоне кремния. Релаксация ближайшего окружения вакансии без понижения симметрии $T_{d}$ выгодна в обе стороны — как к центру, так и к граничным атомам.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Г. Л. Гуцев, Г. С. Мякенькая, “Локализованные состояния водорода в аморфном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988), 1153–1157
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{1}
\by Г.~Л.~Гуцев, Г.~С.~Мякенькая
\paper Локализованные состояния водорода в~аморфном кремнии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1988
\vol 22
\issue 7
\pages 1153--1157
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts2931}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts2931
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v22/i7/p1153
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:57
    PDF полного текста:39
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026