Размерный эффект на кинетических длинах в магнитосопротивлении многодолинных полупроводников

Рассмотрен размерный эффект на длине остывания $L_{\varepsilon}$ и междолинной длине $L_{\text{м}}$ в магнитосопротивлении многодолинных полупроводников. Ранее расчет этого размерного эффекта проводился только феноменологически и, как правило, исследовались раздельно размерный эффект на длине $L_{\varepsilon}$ и размерный эффект на длине $L_{\text{м}}$.
В данной работе найдены решения кинетического уравнения для функций распределения в долинах $f_{0}^{(\alpha)}(\varepsilon,y)$ при граничных условиях, отвечающих отсутствию детальных потоков на боковых поверхностях ${y=\pm d}$ тонких пластин ${j^{(\alpha)}_{y}(\varepsilon,\pm d)=0}$. Рассмотрены квазиупругое внутридолинное рассеяние и неупругое, осуществляемое на фононе с энергией $\hbar\omega_{0}$, междолинное.
Показано, что физическая картина размерного эффекта принципиально отличается от феноменологической. Вычислены угловые и толщинные зависимости магнитосопротивления $n$-Si. Строго показано, что магнитосопротивление тонкого ${d\ll L_{s},L_{\text{м}}}$ образца равно нулю.