Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 7, страницы 1309–1312 (Mi phts304)  

Дисперсионный транспорт в условиях предельного заполнения локализованных состояний

В. И. Архипов, В. М. Логин, А. И. Руденко

Московский инженерно-физический институт
Аннотация: Анализируется влияние эффекта предельного заполнения локализованных состояний на дисперсионный транспорт в материалах с широким энергетическим спектром ловушек. Рассматриваются случаи импульсной и ступенчатой поверхностной генерации носителей. Для анализа процессов переноса используется модель многократного захвата носителей на распределенные по энергии локализованные состояния. Показано, что в условиях сильного заполнения локализованных состояний пространственно-временно́е распределение дрейфующих носителей имеет характерные черты как дисперсионного, так и «нормального» (гауссовского) переноса.
Поступила в редакцию: 01.11.1985
Принята в печать: 11.02.1986
Тип публикации: Статья
УДК: 621.315.592
Образец цитирования: В. И. Архипов, В. М. Логин, А. И. Руденко, “Дисперсионный транспорт в условиях предельного заполнения локализованных состояний”, Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986), 1309–1312
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ArkLogRud86}
\by В.~И.~Архипов, В.~М.~Логин, А.~И.~Руденко
\paper Дисперсионный транспорт в~условиях предельного заполнения
локализованных состояний
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1986
\vol 20
\issue 7
\pages 1309--1312
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts304}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts304
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v20/i7/p1309
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:94
    PDF полного текста:42
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026