Структурная релаксация и кристаллизация объемных образцов аморфного антимонида галлия

По временным и температурным зависимостям удельного сопротивления у объемных образцов $\alpha$-GaSb определена температура кристаллизации ${T_{c}=340}$ K и впервые рассчитана энергия активации роста кристаллитов ${\Delta E= 116}$ кДж/моль. Проведено сопоставление полученных результатов с данными дифференциального термического анализа. Исследованы процессы структурной релаксации; показано, что наряду со специфическими особенностями релаксация аморфных образцов имеет общие черты с отжигом дефектов в кристаллическом образце.