|
|
Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 10, страницы 1780–1784
(Mi phts3073)
|
|
|
|
Свойства гетероструктурного фототранзистора с тонкой базой
Б. В. Жук, А. А. Зленко, А. М. Прохоров, Е. Н. Разов, Е. А. Щербаков
Аннотация:
Рассмотрены свойства гетероструктурного фототранзистора
(ГФТ) с тонкой базой (${10\div20}$ нм). Показано, что при работе
такого ГФТ происходит локализация протекания тока вблизи освещенной
области на приемной площадке ГФТ. Измерения отношения
сигнал–шум показали, что ГФТ превосходит кремниевый
лавинный фотодиод по величине
отношения сигнал–шум на выходе.
Образец цитирования:
Б. В. Жук, А. А. Зленко, А. М. Прохоров, Е. Н. Разов, Е. А. Щербаков, “Свойства гетероструктурного фототранзистора с тонкой базой”, Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988), 1780–1784
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts3073 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v22/i10/p1780
|
| Статистика просмотров: |
| Страница аннотации: | 63 | | PDF полного текста: | 36 |
|