Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 10, страницы 1780–1784 (Mi phts3073)  

Свойства гетероструктурного фототранзистора с тонкой базой

Б. В. Жук, А. А. Зленко, А. М. Прохоров, Е. Н. Разов, Е. А. Щербаков
Аннотация: Рассмотрены свойства гетероструктурного фототранзистора (ГФТ) с тонкой базой (${10\div20}$ нм). Показано, что при работе такого ГФТ происходит локализация протекания тока вблизи освещенной области на приемной площадке ГФТ. Измерения отношения сигнал–шум показали, что ГФТ превосходит кремниевый лавинный фотодиод по величине отношения сигнал–шум на выходе.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Б. В. Жук, А. А. Зленко, А. М. Прохоров, Е. Н. Разов, Е. А. Щербаков, “Свойства гетероструктурного фототранзистора с тонкой базой”, Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988), 1780–1784
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{1}
\by Б.~В.~Жук, А.~А.~Зленко, А.~М.~Прохоров, Е.~Н.~Разов, Е.~А.~Щербаков
\paper Свойства гетероструктурного фототранзистора с~тонкой базой
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1988
\vol 22
\issue 10
\pages 1780--1784
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts3073}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts3073
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v22/i10/p1780
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:63
    PDF полного текста:36
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026