Циклотронная акустоэлектронная генерация в $n$-InSb в «бесстолкновительном» режиме взаимодействия

Экспериментально установлено сильное влияние нагрева электронного газа и решетки полем дрейфа на характер спектра многопролетной акустоэлектронной генерации в $n$-InSb при гелиевых температурах. Обнаружены эффекты пробоя кристаллов в поле акустоэлектрических доменов, трансформации спектра к частоте максимального усиления в компенсированных образцах при нагреве решетки и электронов выше 100 K. В бесстолкновительном режиме взаимодействия ${ql > 1}$ ($q$ — волновой вектор, $l$ — длина свободного пробега) при азотной температуре генерация возникает на частотах, близких к частоте максимального усиления.