Влияние магнитного поля на вольтамперные характеристики плавных $p^{+}{-}n$-гетероструктур из Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As

Исследовано влияние слабого поперечного магнитного поля на вольтамперные характеристики плавных $p^{+}{-}n$-гетероструктур из Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As (${0\leqslant x\leqslant0.43}$) при прямом и обратном смещениях. Особенностью ВАХ при прямом смещении является наличие участка ОДС $S$-типа, параметры которого существенно зависят от величины и направления магнитного поля. Высокая магниточувствительность (${\sim80}$ В/Т при прямом смещении и ${\sim20}$ В/Т — при обратном) объясняется магнитоконцентрационным эффектом в варизонной базе, неоднородной по времени жизни инжектированных неосновных носителей заряда, и тянущим встроенным квазиэлектрическим полем.