Двухколлекторный планарный магнитотранзистор с повышенной магниточувствительностью

Сообщаются результаты исследования магниточувствительности нового варианта двухколлекторного $p^{+}{-}n{-}p^{+}$-планарного магнитотранзистора (ДПМ). Показано, что размещение эмиттера между двумя непосредственно связанными базовыми контактами приводит к повышению чувствительности. Нарастание преобразовательной эффективности этого биполярного датчика объясняется отклоняющим действием силы Лоренца на весь эмиттерный ток, направленный первоначально в глубь структуры нормально к поверхности, а также возможностью электрического управления нормальной компонентой скорости движения неосновных носителей. Определен температурный коэффициент магниточувствительности, составляющий ${\sim0.4}$%/K.