Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 5, страницы 809–812 (Mi phts3349)  

К теории внутризонного оптического поглощения в гетероструктурах с квантовыми ямами

В. В. Осипов, Ф. Л. Серженко, В. Д. Шадрин
Аннотация: Рассмотрен процесс фотоионизации основного состояния электронов в квантовой яме, образованной двумя гетеропереходами. Вычислена вероятность фотоионизации в широком спектральном диапазоне. Показано, что спектр вероятности перехода имеет осциллирующий характер и обращается в нуль при энергиях, соответствующих минимумам амплитуды волновой функции конечного состояния фотоэлектрона. Коэффициент поглощения излучения на структуре из квантовых ям вблизи порога поглощения имеет величину порядка коэффициента поглощения на межзонных прямых переходах.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Осипов, Ф. Л. Серженко, В. Д. Шадрин, “К теории внутризонного оптического поглощения в гетероструктурах с квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989), 809–812
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Osi89}
\by В.~В.~Осипов, Ф.~Л.~Серженко, В.~Д.~Шадрин
\paper К теории внутризонного оптического поглощения в~гетероструктурах
с~квантовыми ямами
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1989
\vol 23
\issue 5
\pages 809--812
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts3349}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts3349
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v23/i5/p809
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025