Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 6, страницы 1066–1069 (Mi phts3405)  
Теория когерентного фотогальванического эффекта

М. В. Энтин
PDF полного текста (370 kB)
Аннотация: Построена теория фотогальванического эффекта (ФГЭ), обусловленного двумя когерентными световыми волнами о частотами $\omega$ и $2\omega$. Когерентный ФГЭ в отличие от объемного возможен в кристалле с центром инверсии и в изотропной среде.
Рассмотрены случаи поглощения света на свободных носителях и примесь-зонных переходах.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. В. Энтин, “Теория когерентного фотогальванического эффекта”, Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989), 1066–1069
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Ent89}
\by М.~В.~Энтин
\paper Теория когерентного фотогальванического эффекта
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1989
\vol 23
\issue 6
\pages 1066--1069
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts3405}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts3405
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v23/i6/p1066
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:79
    PDF полного текста:39
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026