Спонтанная электролюминесценция в гетеропереходах II типа на основе GaInAsSb/GaSb (${\lambda=2.5}$ мкм, ${T=300}$ K)

Сообщается об исследовании спонтанной электролюминесценции в гетеропереходах II типа на основе GaInAsSb/GaSb (${\lambda=2.5}$ мкм, ${T=300}$ K).
Исследовались спектры излучения, внешний квантовый выход и постоянная времени спада излучения изопериодных структур $n$-GaSb${-}n$-Ga$_{0.75}$In$_{0.25}$As $_{0.22}$Sb$_{0.78}{-}p$-GaAlSbAs с различной толщиной узкозонной области в интервале значений $0.4{-}5$ мкм при температурах 77 и 300 K.
Обнаружено, что при изменении толщины узкозонной области от 5 до 0.4 мкм энергия максимума полосы излучения сдвигается в длинноволновую область на $20{-}30$ мэВ (при 77 и 300 K), постоянная времени слада уменьшается почти на порядок от $10^{-8}$ до $10^{-9}$ с, а внешний квантовый выход излучения увеличивается почти в 5 раз.
В результате анализа данных по электролюминесцентным и фотоэлектрическим свойствам делается вывод о том, что излучательная рекомбинация в диодах с толстой узкозонной областью является преимущественно квазимежзонной, а в диодах с тонкой узкозонной областью доминирующую роль играет интерфейсная люминесценция через состояния на $n{-}n$-границе.
Обсуждается модель излучательных переходов через границу раздела гетероперехода II типа.