Механизмы нестационарной фотопроводимости в селективно легированных гетероструктурах GaAs/$n$-(Al, Ga)As

Исследовано влияние профиля состава и легирования селективно легированных гетероструктур GaAs/$n$-(Al, Ga)As на характеристики эффекта нестационарной фотопроводимости (НФП) при ${T=77}$ K.
Показано существование двух механизмов, приводящих к достижению стационарного состояния после выключения освещения при низких температурах: туннелирования электронов из двумерного канала на глубокие уровни в (Al, Ga)As : Si и рекомбинации электронов с акцепторными центрами в арсениде галлия.