|
|
Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 10, страницы 1737–1740
(Mi phts3557)
|
|
|
|
Эффект псевдолегирования аморфного кремния
О. А. Голикова, М. М. Казанин, В. X. Кудоярова, М. М. Мездрогина, К. Л. Сорокина, У. С. Бабаходжаев
Аннотация:
Получены пленки гидрированного аморфного кремния
($a$-Si : Н) методом ВЧ разложения силаносодержащей газовой
смеси в диодной и триодной системах. Показано, что варьирование
температуры и скорости осаждения пленок, скорости прокачки газовой смеси,
потенциала смещения на сетке (в триодной системе) приводит к изменениям
элементов структурной сетки $a$-Si : Н и соответственно функции
плотности состояний и положения уровня Ферми в щели подвижности.
Таким образом, без специального легирования удается смещать уровень
Ферми в пределах ${|\varepsilon_{c}-\varepsilon_{F}| =0.9\div0.3}$ эВ.
Образец цитирования:
О. А. Голикова, М. М. Казанин, В. X. Кудоярова, М. М. Мездрогина, К. Л. Сорокина, У. С. Бабаходжаев, “Эффект псевдолегирования аморфного кремния”, Физика и техника полупроводников, 23:10 (1989), 1737–1740
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts3557 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v23/i10/p1737
|
|