Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 10, страницы 1752–1755 (Mi phts3560)  
Явления переноса в полупроводниках при электрон-фононном увлечении

А. В. Бочков, Ю. Г. Гуревич, О. Л. Машкевич
PDF полного текста (402 kB)
Аннотация: Найдены и проанализированы выражения для кинетических коэффициентов, определяющих термоэлектрические явления, при различной интенсивности электрон-фононного увлечения. Последняя регулируется концентрацией примесных центров, изменяющих, вообще говоря, концентрацию носителей тока.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Бочков, Ю. Г. Гуревич, О. Л. Машкевич, “Явления переноса в полупроводниках при электрон-фононном увлечении”, Физика и техника полупроводников, 23:10 (1989), 1752–1755
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BocGurMas89}
\by А.~В.~Бочков, Ю.~Г.~Гуревич, О.~Л.~Машкевич
\paper Явления переноса в~полупроводниках при электрон-фононном увлечении
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1989
\vol 23
\issue 10
\pages 1752--1755
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts3560}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts3560
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v23/i10/p1752
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025