Влияние силовых полей на образование радиационных дефектов в кремнии при электронном облучении структур SiO$_{2}{-}$Si

Методом DLTS исследованы профили дефектов вакансионной природы у поверхности кремния, покрытого окисной пленкой, после облучения структур пучком электронов с энергией 4 МэВ. Показано, что \glqqзатягивание» радиационных нарушений в глубь кристалла связано с воздействием упругих напряжений в системе Si$-$SiO$_{2}$, в то время как силы электрического происхождения, которые индуцируются зарядом в окисле и на границе раздела Si$-$SiO$_{2}$, могут приводить к появлению немонотонного распределения радиационных дефектов в пределах ОПЗ. Предложена модель вторичного дефектообразования. Проведен расчет эффективной силы, действующей на поток первичных точечных дефектов в кремнии, покрытом окисной пленкой различной толщины. Получена оценка значения скорости протекания квазихимической реакции образования дивакансии.