Образование и отжиг вакансионных комплексов в поверхностном слое монокристаллического кремния, облученного ионами средней массы

Облучение ионами средней массы, имеющими энергию 50 или 100 кэВ при флюенсе $10^{13}{-}10^{15}$ см$^{-2}$, монокристаллического кремния приводит к образованию в его поверхностном слое вакансионных комплексов различных типов. Порядок реакции их отжига равен 1, энергия активации зависит от размера дефекта, если энергия ионов равна 100 кэВ. Причем при этой энергии облучающих частиц образуется по крайней мере два типа комплексов, а при энергии 50 кэВ — только один тип. Предполагается, что такие дефекты, как $VV$-центры, генерируются при энергии ионов 50 кэВ уже при флюенсе $\geqslant 4\cdot 10^{10}$ или $\geqslant 10^{13}$см$^{-2}$ в случая облучения мышьяком и фосфором соответственно. Если энергия ионов составляет 100 кэВ то УК-центры образуются при флюенсе, не меньшем $3\cdot10^{14}$см$^{-2}$. Исследование процессов образования дефектов и их отжига выполнено с применением экзоэмиссионной спектроскопии.