Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток

Теоретически исследованы фотоэлектрические свойства фоторезисторов на основе классических композиционных сверхрешеток. Рассмотрен случай, когда толщины слоев полупроводников, составляющих сверхрешетку, больше длины рассеяния свободных носителей, но меньше удвоенной дебаевской длины в соответствующем материале. Установлено, что вследствие отсутствия эксклюзии электрон-дырочных пар из объема классических композиционных сверхрешеток коэффициент фотоэлектрического усиления в этих приборах может значительно превышать аналогичную характеристику однородных биполярных фоторезисторов, чувствительных в том же спектральном диапазоне. Показано, что рассматриваемые сверхрешеточные фоторезисторы могут быть достаточно высокоомными даже в случае, когда они из- готовлены из исходно низкоомных полупроводников.