Проявление дискретных уровней при релаксационной спектроскопии локализованных электронных состояний с непрерывным спектром

Рассмотрена проблема интерпретации данных термостимулированного разряда МДП конденсатора с распределенными по энергии электронными состояниями на границе раздела полупроводник$-$диэлектрик и дискретными ловушками в приповерхностном слое полупроводника. Показано, что интерпретация на основе существующих теоретических представлений может приводить к физически абсурдным результатам. Получено аналитическое выражение для температурной зависимости эффективного уровня энергии, разделяющего уже пустые и еще заполненные локализованные электронные состояния. Факт наличия на этой зависимости экстремумов может служить экспериментальным критерием сосуществования в объекте исследования дискретных и плавно распределенных по энергии локализованных состояний.