Электрические характеристики и температурный коэффициент напряжения пробоя микроплазм в низковольтных карбид-кремниевых $p{-}n$-структурах

Приведены результаты экспериментальных исследовании флуктуации лавинного тока в одной выделенной микроплазме (МП) в низковольтных $6H$-SiC $p{-}n$-структурах в интервале температур ${300\div 700}$ K.
Определены зависимости вероятностей включения ($P_{01}$) и выключения ($P_{10}$) от перенапряжения и температуры, сопротивления МП ($R_{s}$), напряжения пробоя ($U_{b}$) и напряжения ($U_{0}$), при котором $P_{01}=P_{10}$, от температуры.
Показано, что температурные коэффициенты напряжения (ТКН) $U_{b}$ и $U_{0}$ носят знакопеременный характер: от 300 до 360 K ТКН отрицательный, свыше 360 K — положительный.
Установлено соответствие температурных зависимостей параметров МП в области положительного ТКН модельным представлением для Si $p{-}n$-структур. Обсуждаются возможные причины отрицательного ТКН.