|
|
Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 9, страницы 1673–1678
(Mi phts381)
|
|
|
|
Диффузия индия в твердых растворах Pb$_{0.8}$Sn$_{0.2}$Te
Н. Н. Петухова, Д. Б. Чеснокова, Д. А. Яськов
Аннотация:
С помощью локального термозондового метода исследована
диффузия электрически активного индия в монокристаллах твердого раствора
Pb$_{0.8}$Sn$_{0.2}$Te с исходной концентрацией дырок
${(1\div3)\cdot10^{19}\,\text{см}^{-3}}$ при постоянном отклонении состава
от стехиометрического. Определены термодинамические условия, при которых
индий входит в кристаллическую решетку твердых растворов теллурида
свинца–теллурида олова в электрически активном состоянии. Получена
температурная зависимость коэффициента диффузии электрически активного
индия. Энергия активации процесса диффузии составляет 1.03 эВ.
Образец цитирования:
Н. Н. Петухова, Д. Б. Чеснокова, Д. А. Яськов, “Диффузия индия в твердых растворах Pb$_{0.8}$Sn$_{0.2}$Te”, Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986), 1673–1678
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts381 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v20/i9/p1673
|
| Статистика просмотров: |
| Страница аннотации: | 67 | | PDF полного текста: | 66 |
|