Дефектообразование в кремнии, облученном частицами с массой $\sim 100$ а.е.м. и энергией до 100 МэВ. Спектроскопия дефектов

С использованием емкостных методов изучено дефектообразование в кремнии и на границе раздела Si$-$SiO$_{2}$ при облучении осколками деления $^{252}$Cf. Показано, что по глубине образца наблюдаются два пика в распределении дефектов, соответствующих пробегам легких и тяжелых осколков. Изучена кинетика введения и определены параметры основных радиационных дефектов в $n$- и $p$-кремнии. Показано, что спектр основных радиационных дефектов при облучении осколками деления практически не отличается от спектра дефектов, вводимых при других видах облучения. Изучена термическая стабильность образующихся дефектов. Установлено, что закономерности изменения электрофизических свойств кремния, облученного осколками деления, могут быть описаны только с учетом локализации дефектов в областях скоплений. Анализ экспериментальных данных позволил оценить параметры областей скоплений: размер ядра области $\sim1300\div 1400$ Å, число дефектов в ней $\sim 10^{4}{-}10^{5}$, эффективность введения областей $\sim10^{3}{-}10^{4}$ см$^{-1}$. Показано, что облучение осколками деления вплоть до потоков, приводящих к компенсации объема $\sim20$ %, не приводит к увеличению плотности состояний на границе Si$-$SiO$_{2}$ и величины заряда в диэлектрике.