Детектирование импульсного ионизирующего излучения с помощью варизонных структур

Рассматривается возможность применения варизонных структур в качестве люминесцентных детекторов импульсного рентгеновского и гамма-излучений в малых объемах полупроводниковых приборов. Показано, что эффективная толщина чувствительной области $d_{\text{эфф}}$ зависит от ряда параметров образца: градиента ширины запрещенной зоны, толщин подложки и варизонного слоя, энергии максимума люминесценции на узкозонной стороне слоя и ширины запрещенной зоны подложки. Удаление части подложки или слоя с узкозонной стороны может быть использовано для регулирования $d_{\text{эфф}}$ в пределах от единиц до десятков мкм Экспериментальные результаты, полученные при импульсном облучении структур Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs, легированных кремнием, подтверждают возможность их использования для детектирования коротких ($\sim10^{-8}$ с) гамма-импульсов.