Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 6, страницы 1079–1086 (Mi phts3884)  

Нестационарный фотоэффект в варизонной $m{-}p{-}n$-структуре. IV. Влияние внешней нагрузки

Б. И. Резников, Г. В. Царенков
Аннотация: Теоретически исследовано влияние нагрузки и уровня возбуждения $h$ на зависимости от времени тока и парциальных разностей потенциалов при импульсном возбуждении варизонной $m{-}p{-}n$-структуры монохроматическим светом с энергией квантов, большей ширины запретной зоны. Учтены зарядка барьерных емкостей $p{-}n$-перехода и освещаемой поверхности и утечка дырок через $m{-}p$-барьер. Рекомбинацией носителей и их захватом на ловушки пренебрегалось.
При ${h\ll 1}$, ${\delta=kT/\Delta E_{g}<\delta_{cr}}$ и любых ${r=R/R^{0}_{p}}$ ($R$ — сопротивление нагрузки, $R^{0}_{p}$ — сопротивление $p$-области, обусловленное равновесными дырками) ток $j(t)$, пройдя через максимум, убывает, меняет знак и после прохождения минимума стремится к нулю из-за ухода носителей из $p$-области. С увеличением нагрузки амплитуды тока в максимуме и минимуме уменьшаются, время достижения экстремумов растет, а зависимость $j(t)$ становится более пологой и растянутой во времени. При ${\delta>\delta_{cr}}$, если ${r< r_{cr}}$, описанная выше картина сохраняется, а при ${r<r_{cr}}$ ток не меняет знак. Для значений ${r<r_{cr}}$ характерное время спада тока порядка пролетного.
В случае ${h\sim1}$ ток при малых временах монотонно убывает от начального значения. Характерное время спада после прохождения минимума значительно больше пролетного и зависит от скорости утечки дырок в металл и в $n$-область.
Величина нагрузки, изменяя поток ННЗ на границах и время передачи воздействия на карьеры через внешнюю цепь, определяет все характерные особенности зависимостей тока в парциальных потенциалов на слоях объемного заряда, в частности их немонотонность, наличие нескольких экстремумов и знакопеременность.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Б. И. Резников, Г. В. Царенков, “Нестационарный фотоэффект в варизонной $m{-}p{-}n$-структуре. IV. Влияние внешней нагрузки”, Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990), 1079–1086
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{1}
\by Б.~И.~Резников, Г.~В.~Царенков
\paper Нестационарный фотоэффект в~варизонной $m{-}p{-}n$-структуре.
IV.~Влияние внешней нагрузки
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1990
\vol 24
\issue 6
\pages 1079--1086
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts3884}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts3884
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v24/i6/p1079
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:62
    PDF полного текста:38
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026