|
|
Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 6, страницы 1079–1086
(Mi phts3884)
|
|
|
|
Нестационарный фотоэффект в варизонной $m{-}p{-}n$-структуре.
IV. Влияние внешней нагрузки
Б. И. Резников, Г. В. Царенков
Аннотация:
Теоретически исследовано влияние нагрузки
и уровня возбуждения $h$ на зависимости от времени тока и парциальных
разностей потенциалов при импульсном возбуждении варизонной
$m{-}p{-}n$-структуры монохроматическим светом с энергией квантов, большей
ширины запретной зоны. Учтены зарядка барьерных емкостей $p{-}n$-перехода
и освещаемой поверхности и утечка дырок через $m{-}p$-барьер. Рекомбинацией
носителей и их захватом на ловушки пренебрегалось. При ${h\ll 1}$, ${\delta=kT/\Delta E_{g}<\delta_{cr}}$ и любых
${r=R/R^{0}_{p}}$ ($R$ — сопротивление нагрузки, $R^{0}_{p}$ —
сопротивление $p$-области, обусловленное равновесными дырками) ток $j(t)$,
пройдя через максимум, убывает, меняет знак и после прохождения минимума
стремится к нулю из-за ухода носителей из $p$-области. С увеличением
нагрузки амплитуды тока в максимуме и минимуме уменьшаются, время достижения
экстремумов растет, а зависимость $j(t)$ становится более пологой
и растянутой во времени. При ${\delta>\delta_{cr}}$, если ${r< r_{cr}}$,
описанная выше картина сохраняется, а при ${r<r_{cr}}$ ток не меняет знак.
Для значений ${r<r_{cr}}$ характерное время спада тока порядка пролетного. В случае ${h\sim1}$ ток при малых временах монотонно убывает от начального
значения. Характерное время спада после прохождения минимума значительно
больше пролетного и зависит от скорости утечки дырок в металл и в $n$-область. Величина нагрузки, изменяя поток ННЗ на границах и время передачи
воздействия на карьеры через внешнюю цепь, определяет все характерные
особенности зависимостей тока в парциальных потенциалов на слоях объемного
заряда, в частности их немонотонность, наличие нескольких экстремумов и
знакопеременность.
Образец цитирования:
Б. И. Резников, Г. В. Царенков, “Нестационарный фотоэффект в варизонной $m{-}p{-}n$-структуре.
IV. Влияние внешней нагрузки”, Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990), 1079–1086
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts3884 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v24/i6/p1079
|
| Статистика просмотров: |
| Страница аннотации: | 62 | | PDF полного текста: | 38 |
|