Теория пьезосопротивления в ферромагнитных полупроводниках HgCr$_{2}$Se$_{4}$ в CdCr$_{2}$Se$_{4}$ $p$-типа

Рассматривается пьезосопротивление в ферромагнитной области температур, когда валентная зона $\Gamma_{8}$ расщеплена $p{-}d$-обменным взаимодействием на 4 невырожденные подзоны. Считается, что изменение энергии электрона при деформации меньше величины обменного расщепления. Рассмотрена зависимость пьезосопротивления от направления магнитного поля. Оценка констант деформационного потенциала показала, что их величины близки к значениям, характерным для германия, кремния и соединений A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$.