Квантово-размерный и деформационный эффекты в структурах на основе PbSe/Pb$_{1-x}$Eu$_{x}$Se, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Исследована фотолюминесценция квантово-размерных структур PbSe/PbEuSe с шириной ям PbSe около 15 нм, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках BaF$_{2}$, PbSe, CdTe и Si с ориентациями (100), (110) и (111). В спектрах фотолюминесценции наблюдались квантово-размерный и деформационный сдвиги. Определены разности констант деформационных потенциалов $D_{d}=(6.5 \pm0.6)$ и $D_{u}=-(3.7 \pm0.3)$ эВ для PbSe. Наблюдалось вынужденное излучение из структур при температурах до 280 K. Измерена зависимость $E_{g}(x,T)$ для тройных твердых растворов Pb$_{1-x}$Eu$_{x}$Se и Pb$_{1-x}$Ca$_{x}$Se ($x \lesssim 0.04$), используемых для создания барьеров в структурах.