|
|
Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 9, страницы 1539–1549
(Mi phts3989)
|
|
|
|
Комбинационное рассеяние света на смешанных $LO$-фонон-плазмонных
колебаниях в двухмодовых твердых растворах $n$-Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As ($x>0.4$)
А. М. Минтаиров, К. Е. Смекалин, В. М. Устинов, В. П. Хвостиков
Аннотация:
В спектре комбинационного рассеяния (КР)
света непрямозонного $n$-Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As
($n=10^{16}{-}5\cdot 10^{18}$ см$^{-3}$,
$x=0.5$, 0.86) обнаружены две полосы, обусловленные смешанными
$LO$-фонон-плазмонными модами (ФПМ). Исследована зависимость
полуширины, положения и интенсивности максимумов полос ФПМ
от концентрации свободных электронов и от состава твердого
раствора. Получено выражение для интенсивности КР на ФПМ
двухмодовых твердых растворов, обусловленной деформационным
потенциалом и электрооптическим эффектом. Проведены расчеты
спектров КР и получено хорошее согласие с экспериментом.
Установлено, что в спектре КР непрямозонного $n$-Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As
происходит подавление одной из ФПМ вследствие сильного
затухания плазмонов $[\gamma=(1.5{-}3.0) \omega_{p}]$ и интерференции вкладов
деформационного потенциала и электрооптического эффекта.
Показано, что спектры КР на ФПМ могут быть использованы
для бесконтактного определения концентрации и подвижности
электронов в $n$-Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As.
Образец цитирования:
А. М. Минтаиров, К. Е. Смекалин, В. М. Устинов, В. П. Хвостиков, “Комбинационное рассеяние света на смешанных $LO$-фонон-плазмонных
колебаниях в двухмодовых твердых растворах $n$-Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As ($x>0.4$)”, Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990), 1539–1549
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts3989 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v24/i9/p1539
|
| Статистика просмотров: |
| Страница аннотации: | 124 | | PDF полного текста: | 45 |
|