|
|
Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 9, страницы 1550–1556
(Mi phts3990)
|
|
|
|
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы
в лазерных кристаллах CdS
Р. Балтрамеюнас, Э. Геразимас, А. Жукаускас, И. В. Крюкова, В. А. Теплицкий, С. Юршенас
Аннотация:
С временны́м разрешением 30 пс изучена скорость
рекомбинации электронно-дырочной плазмы (ЭДП) в
сильно фотовозбужденных кристаллах CdS, выращенных
из паровой фазы при различных значениях
отношения парциальных давлений паров кадмия и серы.
Сопоставление данных по измерению
коэффициента усиления света с результатами анализа
временной кинетики излучения, выполненного с
учетом реальной температуры ЭДП, позволило заключить,
что кристаллы с наилучшими лазерными
характеристиками обладают наименьшей эффективностью
ненасыщаемого бимолекулярного канала
безызлучательной рекомбинации неравновесных носителей заряда.
Образец цитирования:
Р. Балтрамеюнас, Э. Геразимас, А. Жукаускас, И. В. Крюкова, В. А. Теплицкий, С. Юршенас, “Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы
в лазерных кристаллах CdS”, Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990), 1550–1556
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts3990 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v24/i9/p1550
|
| Статистика просмотров: |
| Страница аннотации: | 104 | | PDF полного текста: | 145 |
|