|
|
Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 9, страницы 1557–1562
(Mi phts3991)
|
|
|
|
Генерация и отжиг дефектов при совмещенном генерировании в кремнии
$n$-типа. I. Геттерирующие микродефекты
Н. Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, И. С. Половцев, В. Л. Суханов
Аннотация:
Методом оптической поляризации ядерных
моментов (ОПЯ) исследовались процессы совмещенного
геттерирования в условиях варьирования параметрами
окисления, термообработки и диффузии
легирующих примесей в кремнии $n$-типа. Были определены
размеры и концентрация геттерирующнх
микродефектов, ответственных за возникновение неоднородно
распределенных мелких и глубоких
точечных центров. Показано, что, управляя потоками
первичных дефектов, генерируемых поверхностью
окисленного кремния, можно значительно изменять
характеристики геттерирующнх микродефектов и тем
самым существенно повысить эффективность процессов
совмещенного геттерирования.
Образец цитирования:
Н. Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, И. С. Половцев, В. Л. Суханов, “Генерация и отжиг дефектов при совмещенном генерировании в кремнии
$n$-типа. I. Геттерирующие микродефекты”, Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990), 1557–1562
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts3991 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v24/i9/p1557
|
| Статистика просмотров: |
| Страница аннотации: | 87 | | PDF полного текста: | 47 |
|