Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 9, страницы 1616–1617 (Mi phts4001)  
Исследование $n$-HgTe в сильных электрических полях

Г. М. Генкин, Ю. Н. Ноздрин, А. В. Окомельков, В. Н. Шастин
PDF полного текста (268 kB)
Аннотация: Приведены экспериментальные результаты исследования вольт-амперной характеристики и спонтанного излучения $n$-HgTe в сильных электрических полях.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Г. М. Генкин, Ю. Н. Ноздрин, А. В. Окомельков, В. Н. Шастин, “Исследование $n$-HgTe в сильных электрических полях”, Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990), 1616–1617
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GenNozOko90}
\by Г.~М.~Генкин, Ю.~Н.~Ноздрин, А.~В.~Окомельков, В.~Н.~Шастин
\paper Исследование $n$-HgTe в~сильных электрических полях
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1990
\vol 24
\issue 9
\pages 1616--1617
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4001}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4001
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v24/i9/p1616
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:82
    PDF полного текста:43
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026