Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 9, страницы 1733–1736 (Mi phts401)  
Краткие сообщения

Влияние анизотропии рассеяния на распределение дырок в Ge и Se в условиях стриминга

В. Я. Алешкин, В. А. Козлов, Ю. А. Романов
PDF полного текста (508 kB)
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Я. Алешкин, В. А. Козлов, Ю. А. Романов, “Влияние анизотропии рассеяния на распределение дырок в Ge и Se в условиях стриминга”, Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986), 1733–1736
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AleKozRom86}
\by В.~Я.~Алешкин, В.~А.~Козлов, Ю.~А.~Романов
\paper Влияние анизотропии рассеяния на распределение дырок в~Ge и~Se
в~условиях стриминга
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1986
\vol 20
\issue 9
\pages 1733--1736
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts401}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts401
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v20/i9/p1733
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025