Формирование структур с блокированной прыжковой проводимостью гидрогенизацией кремния, легированного галлием

Исследовалось влияние гидрогенизации на электрофизические свойства кремния $p$-типа, легированного галлием ($N_{\text{Ga}}\sim 5\cdot 10^{17}$ см$^{-3}$). Обнаружено подавление при гидрогенизации прыжковой проводимости с прыжками между ближайшими соседними атомами галлия, которая наблюдается при температурах $8\div30$ K. Изучены электрофизические характеристики структур с блокированной прыжковой проводимостью, созданных пассивацией примеси галлия атомарным водородом. Проведены расчет вольт-амперных характеристик (ВАХ) структур и сопоставление расчетных и экспериментальных ВАХ в диапазоне температур $8\div 30$ K, определены электропроводность элементов структуры (объема, слоя), степень компенсации материала, термическая стабильность структур при изохронном отжиге в диапазоне температур $120\div 300^{\circ}$С.