|
|
Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 10, страницы 1795–1799
(Mi phts4037)
|
|
|
|
Электронные свойства бистабильных дефектов
В. М. Сирацкий, В. И. Шаховцов, В. Л. Шиндич, Л. И. Шпинар, И. И. Ясковец
Аннотация:
Анализируется влияние бистабильных
дефектов (БД) на статистические и рекомбинационные свойства носителей
тока в полупроводниках. Показана необходимость учета обеих конфигураций
БД для корректного описания температурных зависимостей
концентрации носителей тока и времени жизни неосновных носителей тока.
Образец цитирования:
В. М. Сирацкий, В. И. Шаховцов, В. Л. Шиндич, Л. И. Шпинар, И. И. Ясковец, “Электронные свойства бистабильных дефектов”, Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990), 1795–1799
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts4037 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v24/i10/p1795
|
| Статистика просмотров: |
| Страница аннотации: | 74 | | PDF полного текста: | 37 |
|