Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 10, страницы 1795–1799 (Mi phts4037)  

Электронные свойства бистабильных дефектов

В. М. Сирацкий, В. И. Шаховцов, В. Л. Шиндич, Л. И. Шпинар, И. И. Ясковец
Аннотация: Анализируется влияние бистабильных дефектов (БД) на статистические и рекомбинационные свойства носителей тока в полупроводниках.
Показана необходимость учета обеих конфигураций БД для корректного описания температурных зависимостей концентрации носителей тока и времени жизни неосновных носителей тока.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. М. Сирацкий, В. И. Шаховцов, В. Л. Шиндич, Л. И. Шпинар, И. И. Ясковец, “Электронные свойства бистабильных дефектов”, Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990), 1795–1799
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ShaShpYas90}
\by В.~М.~Сирацкий, В.~И.~Шаховцов, В.~Л.~Шиндич, Л.~И.~Шпинар, И.~И.~Ясковец
\paper Электронные свойства бистабильных дефектов
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1990
\vol 24
\issue 10
\pages 1795--1799
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4037}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4037
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v24/i10/p1795
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:74
    PDF полного текста:37
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026