Эффективность образования вакансионных и междоузельных комплексов при облучении бездислокационного $n$-кремния

Изучены процессы накопления радиационных дефектов (РД) вакансионного и междоузельного типов в бездислокационных монокристаллах $n$-кремния (${\rho\approx 100}$  Ом$\,\cdot\,$см), выращенных бестигельной зонной плавкой в атмосфере аргона. На различных этапах облучения $\gamma$-квантами $^{60}$Co ($T_{\text{обл}}\leqslant 50^{\circ}$C) измерялись температурные ($80\div 400$ К) зависимости коэффициента Холла и электропроводности. Установлено, что в исследуемых кристаллах (по сравнению с контрольным кремнием, полученным в вакууме и имеющим плотность дислокаций $N_{\text{Д}}\approx 2\cdot 10^{4}$ см$^{-2}$ скорость введения $E$-центров ниже, $A$-центров выше, но суммарная скорость введения РД вакансионного типа меньше. При увеличении интегрального потока $\gamma$-квантов эффективность образования $A$-центров уменьшается, комплексов междоузельный углерод$-$узловой углерод возрастает, а $E$-центров изменяется немонотонно. Объяснение полученных результатов дано с учетом того, что при выращивании бездислокационных кристаллов в их объеме формируются мелкие включения, создающие анизотропные деформационные напряжения и окруженные атмосферой фоновых примесей (кислород, углерод). Под воздействием создаваемых включениями полей к ним направленно мигрируют первичные РД, где участвуют в комплексообразовании с примесями или исчезают в результате непрямой аннигиляции.