Осцилляции вольт-амперных характеристик монополярных транзисторных структур с квантовой ямой

С использованием многозонного приближения метода эффективной массы рассчитан коэффициент прохождения квазичастицы над симметричной прямоугольной квантовой ямой. Найдена вольт-амперная характеристика транзисторной структуры с монополярной проводимостью, содержащей глубокую квантовую яму такой формы. Показано, что вольт-амперная характеристика имеет падающие участки как в режиме ограничения тока пространственным зарядом, так и в режиме насыщения эмиттера.