Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 3, страницы 413–416 (Mi phts4222)  

Электрофизические свойства нейтронно легированного германия с измененным изотопным составом

А. Н. Ионов, М. Н. Матвеев, И. С. Шлимак, Ф. М. Воробкало, Л. И. Зарубин, И. Ю. Немиш
Аннотация: Исследованы однородные образцы компенсированного германия $n$-типа с заданными степенями компенсации, полученные путем искусственного изменения изотопного состава кристалла и последующего нейтронного трансмутационного легирования. Обнаружено проявление крупномасштабной составляющей рельефа потенциала, связанного с отсутствием в образцах корреляций во взаимном расположении доноров и акцепторов.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Н. Ионов, М. Н. Матвеев, И. С. Шлимак, Ф. М. Воробкало, Л. И. Зарубин, И. Ю. Немиш, “Электрофизические свойства нейтронно легированного германия с измененным изотопным составом”, Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991), 413–416
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{IonShl91}
\by А.~Н.~Ионов, М.~Н.~Матвеев, И.~С.~Шлимак, Ф.~М.~Воробкало, Л.~И.~Зарубин, И.~Ю.~Немиш
\paper Электрофизические свойства нейтронно легированного германия
с~измененным изотопным составом
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1991
\vol 25
\issue 3
\pages 413--416
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4222}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4222
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v25/i3/p413
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025