|
|
Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 3, страницы 422–426
(Mi phts4224)
|
|
|
|
Роль водорода в формировании и стабильности границы раздела
кристаллический кремний$-$аморфный гидрированный кремний
Я. О. Ройзин, Л. В. Цыбесков
Аннотация:
Приведены экспериментальные результаты исследований влияния
условий синтеза на характеристики гетероструктур
кристаллический кремний$-$аморфный гидрированный кремний: плотность
состояний на границе раздела, концентрацию подвижного и связанного заряда
и др. Обнаружены корреляции между электрическими свойствами,
концентрацией дефектов и формами вхождения водорода. Показано, что освещение
структур светом с энергией квантов ${h\nu\gtrsim2}$ эВ наряду с генерацией
метастабильных состояний может приводить к залечиванию дефектов. Предложена модель, в которой формирование границы раздела структур
кристаллический кремний$-$ аморфный гидрированный кремний происходит
с участием трехцентровых комплексов, способных при освещении
трансформироваться в устойчивые гидридные связи в результате безотрывной
миграции водорода.
Образец цитирования:
Я. О. Ройзин, Л. В. Цыбесков, “Роль водорода в формировании и стабильности границы раздела
кристаллический кремний$-$аморфный гидрированный кремний”, Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991), 422–426
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts4224 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v25/i3/p422
|
|