Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 3, страницы 422–426 (Mi phts4224)  

Роль водорода в формировании и стабильности границы раздела кристаллический кремний$-$аморфный гидрированный кремний

Я. О. Ройзин, Л. В. Цыбесков
Аннотация: Приведены экспериментальные результаты исследований влияния условий синтеза на характеристики гетероструктур кристаллический кремний$-$аморфный гидрированный кремний: плотность состояний на границе раздела, концентрацию подвижного и связанного заряда и др. Обнаружены корреляции между электрическими свойствами, концентрацией дефектов и формами вхождения водорода. Показано, что освещение структур светом с энергией квантов ${h\nu\gtrsim2}$ эВ наряду с генерацией метастабильных состояний может приводить к залечиванию дефектов.
Предложена модель, в которой формирование границы раздела структур кристаллический кремний$-$ аморфный гидрированный кремний происходит с участием трехцентровых комплексов, способных при освещении трансформироваться в устойчивые гидридные связи в результате безотрывной миграции водорода.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Я. О. Ройзин, Л. В. Цыбесков, “Роль водорода в формировании и стабильности границы раздела кристаллический кремний$-$аморфный гидрированный кремний”, Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991), 422–426
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{1}
\by Я.~О.~Ройзин, Л.~В.~Цыбесков
\paper Роль водорода в формировании и стабильности границы раздела
кристаллический кремний$-$аморфный гидрированный кремний
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1991
\vol 25
\issue 3
\pages 422--426
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4224}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4224
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v25/i3/p422
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025