Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 3, страницы 556–558 (Mi phts4248)  
Краткие сообщения

Аномальная зависимость коэффициента отражения Si от дозы имплантации ионов Ar$^{+}$ при ${T>330}$ K

П. В. Жуковский, С. Б. Канторов, К. Кищак, Д. Мончка, В. Ф. Стельмах
PDF полного текста (383 kB)
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: П. В. Жуковский, С. Б. Канторов, К. Кищак, Д. Мончка, В. Ф. Стельмах, “Аномальная зависимость коэффициента отражения Si от дозы имплантации ионов Ar$^{+}$ при ${T>330}$ K”, Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991), 556–558
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{1}
\by П.~В.~Жуковский, С.~Б.~Канторов, К.~Кищак, Д.~Мончка, В.~Ф.~Стельмах
\paper Аномальная зависимость коэффициента отражения~Si от~дозы имплантации
ионов~Ar$^{+}$ при~${T>330}$\,K
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1991
\vol 25
\issue 3
\pages 556--558
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4248}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4248
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v25/i3/p556
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:76
    PDF полного текста:32
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026