Об определении концетрации легирующей примеси в активном слое ДГС лазеров из емкостных измерений

Проанализированы причины некорректности применения соотношений $(1/C)^{2}=f(V)$ и $(1/C)^{3}=f(V)$ как для определения концентрации примеси в активных слоях различных типов полупроводниковых приборов, содержащих $p{-}n$-переход или барьер Шоттки, так и для определения типа перехода (резкий или плавный) и диффузионного потенциала $V_{D}$. Показано, что при неоднородном характере распределения примеси более достоверная информация может быть получена с помощью метода вольт-фарадного профилирования.