Подпороговое дефектообразование при мощной импульсной фотонной обработке кремния

Предлагается механизм подпорогового дефектообразования при широкополосной мощной импульсной фотонной обработке (ИФО) монокристаллов кремния, связанный с эффективным снижением активационного барьера образования пар Френкеля при множественном возбуждении валентных связей в окрестности узла решетки. Показано, что при интенсивности света $\sim 10^{2}$ Вт/см$^{2}$ основной вклад в дефектообразование дают двукратно возбужденные узлы, для которых снижение барьера составляет $1.0\div 1.5$ эВ.